特許
J-GLOBAL ID:200903063351908138

偏波制御素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-030448
公開番号(公開出願番号):特開2009-192609
出願日: 2008年02月12日
公開日(公表日): 2009年08月27日
要約:
【課題】90°または180°といった大きな位相変化を生じさせることができる小型の偏波(偏光)制御素子を実現する。【解決手段】基板1上の金属層2には、互いに交差する第1、第2のスリット14,15が設けられる。第1、第2のスリット14,15は、波長以下の周期でそれぞれ形成され、第2のスリット15には誘電体3が埋め込まれる。この結果、第1のスリット14を通過する偏波成分と第2のスリット15を通過する偏波成分との間で、誘電体3の屈折率に応じた位相差を生じさせることができる。【選択図】図4
請求項(抜粋):
電磁波の偏波を制御する偏波制御素子であって、 前記電磁波を透過する基板と、 前記基板上に設けられ、前記電磁波を反射する反射層とを備え、 前記反射層には、第1の方向に沿って複数の第1のスリットが形成され、 前記複数の第1のスリットの各々と隣接する第1のスリットとの中心線間の間隔は、前記電磁波の波長を前記基板の屈折率で割った値より小さく、 前記反射層には、第2の方向に沿うとともに各々が前記複数の第1のスリットに交差する複数の第2のスリットがさらに形成され、 前記複数の第2のスリットの各々と隣接する第2のスリットとの中心線間の間隔は、前記電磁波の波長を前記基板の屈折率で割った値より小さく、 前記複数の第2のスリットの各々には、少なくとも一部の領域に第1の誘電体が埋め込まれる、偏波制御素子。
IPC (2件):
G02B 5/30 ,  G02F 1/03
FI (2件):
G02B5/30 ,  G02F1/03 505
Fターム (9件):
2H049BA06 ,  2H049BA46 ,  2H049BB63 ,  2H049BC08 ,  2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA02 ,  2H079EB17 ,  2H079JA07
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 偏光制御素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2005-150075   出願人:株式会社リコー

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