特許
J-GLOBAL ID：200903063355536804
絶縁膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-328922
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156375
出願日： 1998年11月19日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 架橋密度が高くて耐熱性が高いと共に、膜中に含まれるラジカル成分が少なくて良質である有機絶縁膜を形成できる方法を提供する。【解決手段】 第1の低分子有機化合物としてのCF4 ガスにマイクロ波を照射することにより、CF4 ガスを分解してラジカル種を生成する。生成されたラジカル種を第2の低分子有機化合物としての気化したパーフルオロデカリンに混合する。このようにすると、パーフルオロデカリンの環構造の炭素同士の結合が一部切断されて、切断された一方の炭素にCF3 が結合すると共に他方の炭素に未結合手を有するCF2 が結合することによって、重合性の高い低分子有機化合物が生成される。重合性の低分子有機化合物は、シリコン基板の上に化学吸着して重合反応を起こすので、シリコン基板の上に架橋密度が高く且つラジカル成分が少ない有機絶縁膜が形成される。
請求項（抜粋）：
第1の低分子有機化合物を活性化することにより重合開始剤となる活性種を形成する第1の工程と、前記活性種を第2の低分子有機化合物の気体に混合することにより重合性低分子有機化合物を生成した後、生成された重合性低分子有機化合物同士を重合反応させて有機絶縁膜を形成する第2の工程とを備えていることを特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/312 A
, C08G 61/06
4J032CA04
, 4J032CA22
, 4J032CA24
, 4J032CA28
, 4J032CA32
, 4J032CA33
, 4J032CA43
, 4J032CA53
, 4J032CA63
, 4J032CE12
, 4J032CG00
, 5F058AA10
, 5F058AB10
, 5F058AC05
, 5F058AF01
, 5F058AF02
, 5F058AG01
, 5F058AH01
, 5F058AH02
