第1の酸化物層および第2の酸化物層を形成するための方法ならびに集積回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-189037
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172138
出願日： 1995年07月25日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【課題】非常に薄い酸化物層の品質を改良するための方法を提供する。【解決手段】濃くドープされたN+層上の半導体本体の表面領域上にかつゲート領域の表面上に初期の酸化物層(104)を形成するために半導体本体をはじめに酸化させることによって、EEPAL装置などのプログラマブル装置に適切な高品質のトンネル酸化膜が濃くドープされたN+層上の半導体本体の表面領域上に形成され、さらにゲート酸化膜がゲート領域上に形成される。次に、濃くドープされたN+層の上層の初期の酸化物層(104)の少なくとも一部分が取除かれる。初期の酸化膜の残りの部分の厚みを増しそれによってゲート酸化膜を形成するために、さらに濃くドープされたN+層上にトンネル酸化膜を形成するために、半導体本体は酸化に適切な環境にその後さらされる。半導体本体を窒素源に導入することによって、ある濃度の窒素がゲートおよびトンネル酸化膜両方に導入される。

請求項（抜粋）：

集積回路の製造工程において、第1の酸化物層を半導体本体の第1の表面領域上に形成するための方法、さらには第1の酸化物層の厚みより大きい第2の酸化物層を半導体本体の第2の表面領域上に形成するための方法であって、半導体本体の第1および第2の表面領域上に初期の酸化物層を形成するステップと、半導体本体の第1の表面領域上に置かれた領域の初期の酸化物層の少なくとも一部分を取除くステップと、取除くステップに続いて、半導体本体を酸化膜形成に適切な環境にさらし、半導体本体の第1の表面領域の上方に置かれた第1の酸化物層を形成し、かつ第2の領域の上方に置かれた初期の酸化物層の厚みを増やしそのようにして第2の酸化物層を形成するステップと、さらすステップの開始に続いて、半導体本体を窒素源に導入し、第1および第2の酸化物層両方にある濃度の窒素を形成するステップとを含む、第1の酸化物層および第2の酸化物層を形成するための方法。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/316 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 29/78 617 V

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-277269
特開昭61-172339
特開平2-265279

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