特許

J-GLOBAL ID：200903071488868586

酸化膜を形成する方法、改良された酸化膜を形成する方法、高品質の酸化膜を形成する方法、ならびにトンネルおよびゲート酸化膜を形成する方法

発明者： ダーク・ジェイ・リスターズ ,  ディム-リー・ウォング ,  エイチ・ジム・フルフォード・ジュニア
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-136681
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167664
出願日： 1995年06月02日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】 少なくとも表面層がある濃度の窒素を含む酸化物層を含む半導体装置をより効果的に提供するための方法を提供する。【構成】 トンネル酸化膜およびCMOSゲート酸化膜に利用される高品質の酸化膜は、酸化膜が形成された後、ある窒素の濃度を含む表面層を酸化膜に形成するためにNOを含む雰囲気で半導体基板をアニーリングすることを含む処理を使用して形成される。NOのアニーリングステップは装置のゲートおよびトンネル酸化膜両方の特性を、先行技術の方法からはかなり低減した温度でかつかなりの多くのNOを含む雰囲気で向上させる。

請求項（抜粋）：

酸化物層を主にNOを含む雰囲気にさらし、それによってある濃度の窒素を有する領域を酸化物層に形成するステップを含む、酸化膜を形成する方法。

IPC (7件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 絶縁膜形成方法およびこの絶縁膜を用いた不揮発性半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-050018   出願人：沖電気工業株式会社
• 絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-111963   出願人：沖電気工業株式会社
• 絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-217824   出願人：沖電気工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 薄膜作成の基礎(第2版), 19870130, 第2版4刷, p.196-197