特許
J-GLOBAL ID：200903063367558684
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-015446
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214800
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 導電性を有する窒化物系III-V族化合物半導体層に、高温でも高抵抗を維持する高抵抗領域をイオン注入により形成することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 導電性を有する窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させた後、この窒化物系III-V族化合物半導体層に部分的にホウ素をイオン注入することにより高抵抗領域を形成する。ホウ素の注入量は、窒化物系III-V族化合物半導体層のキャリア濃度の好ましくは1/30以上、より好ましくは1/15以上にする。電子走行素子の素子分離領域や半導体レーザの電流狭窄層にこの高抵抗領域を用いる。
請求項（抜粋）：
導電性を有する窒化物系III-V族化合物半導体層に部分的に高抵抗領域が設けられた半導体装置において、上記高抵抗領域がホウ素のイオン注入により形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01S 3/18
, H01L 21/265
, H01L 21/76
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 33/00
H01S 3/18
, H01L 33/00 C
, H01L 21/265 601 J
, H01L 21/76 R
, H01L 29/80 B
