特許

J-GLOBAL ID：200903063414954585

基体の処理方法

発明者： 福田 航一 ,  相原 正己
出願人/特許権者： 株式会社フロンテック
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-101978
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270404
出願日： 1996年03月31日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、減圧下においてもオゾンの発生効率が高く、かつ、基体をオゾンに曝すことで基体上に残存する有機系不純物の量を低減できる基体の処理方法を提供する。【解決手段】 本発明の基体の処理方法は、少なくとも排気手段を備えた気密室を有する、基体処理装置を用い、減圧下にある前記気密室内に置いた基体を、波長222nm以下の紫外線が照射された酸素ガスに曝すことを特徴とする。好ましくは、前記紫外線の波長が184nm以下であることを特徴とする。さらに、前記基体が、80°C以上250°C以下に予備加熱されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも排気手段を備えた気密室を有する、基体処理装置を用い、減圧下にある前記気密室内に置いた基体を、波長222nm以下の紫外線が照射された酸素ガスに曝すことを特徴とする基体の処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-087026
  
• 特開平4-079324
  
• 特開平2-049428
  
• 半導体の処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-273122   出願人：松本智, ウシオ電機株式会社