特許
J-GLOBAL ID:200903063429441258
アンモニアガス検知素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
北村 修一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-121212
公開番号(公開出願番号):特開平11-316207
出願日: 1998年04月30日
公開日(公表日): 1999年11月16日
要約:
【要約】【課題】 SOxガスに被毒しにくく、しかも、対湿度安定性の高いアンモニアガス検知素子を提供すること。【解決手段】 酸化スズ半導体を主成分とするアンモニアガス感応層2を設けるとともに、その感応層2を覆って触媒層3を設けたアンモニアガス検知素子であって、前記感応層2を、酸化スズ半導体に酸化ランタンを2mol%〜7.5mol%及び金を0.002atm%〜0.2atm%添加してある酸化スズ半導体から形成してあるとともに、前記触媒層3を、酸化チタンを主成分とするアルコール除去触媒から形成してある。
請求項(抜粋):
酸化スズ半導体を主成分とするアンモニアガス感応層を設けるとともに、その感応層を覆って触媒層を設けたアンモニアガス検知素子であって、前記感応層を、酸化スズ半導体に酸化ランタンを2mol%〜7.5mol%及び金を0.002atm%〜0.2atm%添加してある酸化スズ半導体から形成してあるとともに、前記触媒層を、酸化チタンを主成分とするアルコール除去触媒から形成してあるアンモニアガス検知素子。
FI (2件):
G01N 27/12 B
, G01N 27/12 C
引用特許:
審査官引用 (2件)
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ガス検知素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-263799
出願人:新コスモス電機株式会社
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特開昭58-221154
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