半導体素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-282146
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148401
出願日： 1994年11月16日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】本発明は半導体素子の製造方法に関し、特に、基板に形成した1対の位置決め角孔を用いてフォトレジスト用マスクのアライメントパターンの位置合わせを行うことにより表裏の高精度のエッチングを行う構成である。【構成】本発明による半導体素子の製造方法は、シリコンウエハの基板(1)に形成した1対の位置決め角孔(10,11)を用いて両面のフォトレジスト用マスク(13)の1対のアライメントパターン(13b)の中心にこの位置決め角孔(10,11)が位置するように位置合わせし、フォトレジスト(30)の露光を行うことにより、両面の高精度エッチングを行う構成である。

請求項（抜粋）：

シリコンウエハの基板(1)にエッチングにより形成された1対の平行四辺形の位置決め角孔(10,11)を形成し、前記位置決め角孔がフォトレジスト用マスクのアライメントパターン(13a,13b)の中心に位置するよう位置決めし、前記基板(1)のフォトレジスト(30)の露光を行うようにしたことを特徴とする半導体素子の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平1-189920
半導体装置用絶縁膜の堆積方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-015028 出願人：富士電機株式会社
特開昭63-024617

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