特許
J-GLOBAL ID:200903063443226181

磁性薄膜の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三澤 正義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-178701
公開番号(公開出願番号):特開平6-096949
出願日: 1992年07月06日
公開日(公表日): 1994年04月08日
要約:
【要約】【目的】 低保磁力、高飽和磁束密度で高透磁率を有する磁性薄膜を、量産性に優れた湿式めっき法により実現する。【構成】 めっき法により成膜されたCoFe合金膜を昇温速度10°C/分未満、最高温度350°C以下で熱処理を行う磁性薄膜の製造方法。高い透磁率が容易に得られる。
請求項(抜粋):
CoおよびFeを主成分としためっき膜を10°C/分未満の昇温速度にて、350°C以下の真空または不活性雰囲気下加熱処理を行うことを特徴とする磁性薄膜の製造方法。
IPC (3件):
H01F 10/16 ,  G11B 5/31 ,  H01F 41/26
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平4-099303
  • 特開平4-062806
  • 特開平1-109710

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