特許

J-GLOBAL ID：200903063461266786

坩堝、及び該坩堝を備えた結晶製造装置

発明者： 雄山 泰直
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (3件)： 近島 一夫 ,  相田 伸二 ,  田北 嵩晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-417232
公開番号（公開出願番号）：特開2005-170776
出願日： 2003年12月15日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】 結晶製造の際の多結晶化を防止する。【解決手段】 坩堝1の内壁面1aには縦横に溝部2a,2bを形成しているため、結晶融液の内壁面1aにおける接触角が大きくなり、濡れ性が少なくなって、内壁面1aからの結晶化を抑制することができる。したがって、種結晶から結晶化するという本来的な結晶化が促進され、多結晶化を抑制することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

結晶を製造するための坩堝において、 複数の溝部が互いに交差するように内壁面に形成された、 ことを特徴とする坩堝。

IPC (3件)：

C30B11/00 ,  C30B13/14 ,  C30B15/10

FI (3件)：

C30B11/00 C ,  C30B13/14 ,  C30B15/10

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077EG02 ,  4G077MA01 ,  4G077MA02 ,  4G077PD01 ,  4G077PD02 ,  4G077PD05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 単結晶引き上げ方法および原料結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-194163   出願人：信越半導体株式会社