特許
J-GLOBAL ID：200903063465138243

位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置

発明者：
野澤 順

野澤 順 について

, 
三ッ井 英明

三ッ井 英明 について


出願人/特許権者：
ホーヤ株式会社

ホーヤ株式会社 について


代理人 (1件)： 藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-277354
公開番号（公開出願番号）：特開2002-090978
出願日： 2000年09月12日
公開日（公表日）： 2002年03月27日
要約：
【要約】【課題】 ブランクス間における位相角及び透過率のばらつきを極力低減でき、歩留まりの良い位相シフトマスクブランクの製造方法等を提供する。【解決手段】 透明基板上に薄膜がスパッタリング法を用いて連続的に成膜される工程は、透明基板がスパッタ室に搬入され、スパッタ室においてパターンを形成するための薄膜が形成され、スパッタ室から成膜後の透明基板が搬出される一連のプロセスが複数枚の基板に対して順次行われ、その透明基板の搬入と搬出とを略一定間隔で行うことによって、成膜時間を複数枚のブランク間で一定にする工程を含むことを特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。
請求項（抜粋）：
透明基板上に、少なくとも位相シフト膜を有する位相シフトマスクブランクを、複数枚連続的に製造する方法において、前記方法は、透明基板上に位相シフト膜がスパッタリング法を用いて連続的に成膜される工程を含み、前記複数枚のブランク間における位相シフト膜の位相角のばらつきが、±2°であることを特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。
IPC (4件)：
G03F 1/08 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/027
FI (7件)：
G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 Z ,  C23C 14/06 K ,  C23C 14/34 V ,  C23C 14/34 C ,  C23C 14/34 J ,  H01L 21/30 502 P
Fターム (13件)：
2H095BA07 ,  2H095BB03 ,  2H095BB25 ,  2H095BB35 ,  4K029BA41 ,  4K029BC08 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC39 ,  4K029JA02 ,  4K029KA01 ,  4K029KA09
引用特許：
審査官引用 (7件)
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