特許
J-GLOBAL ID：200903063468289889
発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-359563
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123530
出願日： 2003年10月20日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】 Au系層からなる金属層を介して発光層部と素子基板とを貼り合せた構造を有する発光素子を製造するために、十分な貼り合せ強度が得られ、かつ、反射面の状態も良好に保つことができる発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 発光層部24を有した化合物半導体層の光取出面になるのと反対側の主表面を貼り合わせ側主表面として、該貼り合わせ側主表面にAu含有率が95質量%以上の第一Au系層10aを配置する。また、Si基板7の、発光層部24側に位置することが予定された主表面を貼り合わせ側主表面として、該貼り合わせ側主表面にAu含有率が95質量%以上の第二Au系層10bを配置する。そして、それら第一Au系層10aと第二Au系層10bとを重ね合わせて積層体50となし、該積層体50を80°C未満の温度域にて積層方向に加圧し、その加圧状態にて積層体50を80°C以上に加熱することにより貼り合わせる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
発光層部を有する化合物半導体層の一方の主表面を光取出面とし、該化合物半導体層の他方の主表面側に、発光層部からの光を前記光取出面側に反射させる反射面を有した金属層を介してSi基板が結合された発光素子を製造するために、
前記発光層部を有した化合物半導体層の光取出面になるのと反対側の主表面を貼り合わせ側主表面として、該貼り合わせ側主表面に、前記金属層の一部をなすAu含有率が95質量%以上の第一Au系層を配置し、
前記Si基板の、前記発光層部側に位置することが予定された主表面を貼り合わせ側主表面として、該貼り合わせ側主表面に、前記金属層の一部をなすAu含有率が95質量%以上の第二Au系層を配置し、
それら第一Au系層と第二Au系層とを重ね合わせて積層体となし、該積層体を80°C未満の温度域にて積層方向に加圧し、その加圧状態にて前記積層体を80°C以上に加熱することにより貼り合わせることを特徴とする発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 N
, H01L33/00 B
5F041AA04
, 5F041AA44
, 5F041CA34
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA85
, 5F041DA19
, 5F041DA32
, 5F041DA36
, 5F041DC26
, 5F041DC66
出願人引用 (2件)
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半導体発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-230977
出願人：信越半導体株式会社
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発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-160696
出願人：信越半導体株式会社
審査官引用 (2件)
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