特許

J-GLOBAL ID：200903063472193012

半導体製造プロセス用部材

発明者： 宮坂 松甫 ,  中浜 修平 ,  高山 博和 ,  新村 恵弘 ,  原田 良夫 ,  竹内 純一 ,  杉本 克久
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所 ,  トーカロ株式会社
代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-035513
公開番号（公開出願番号）：特開平10-219426
出願日： 1997年02月04日
公開日（公表日）： 1998年08月18日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造プロセス、特にドライプロセスにおいて使用されている各種装置および付属装置としての給排気ファン、真空ポンプ、配管、弁類などで発生しているハロゲン化合物(含む原子状のハロゲン)およびSiO2,Si3N4,Si,Wなどの微細な粉末状の固形物などに起因する腐食とエロージョン損傷に対する耐久性の高い素材を提供する。【解決手段】 金属母材の表面近傍にアルミニウム拡散層2を形成して、耐スパッタリング性、耐ハロゲン化合物性および耐ブラストエロージョン性を向上させた。

請求項（抜粋）：

金属母材の表面近傍にアルミニウム拡散層を形成して、耐スパッタリング性、耐ハロゲン化合物性および耐ブラストエロージョン性を向上させたことを特徴とする半導体製造プロセス用部材。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 真空装置用構造材料および真空装置用構造部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-182122   出願人：日本真空技術株式会社
• 特開平4-193966
  
• 特開昭60-063364
  
• 特開昭57-019371