特許

J-GLOBAL ID：200903063480891420

半導体素子及び半導体素子の製造方法

発明者： 酒井 紘平 ,  渡辺 恭志
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
代理人 (2件)： 羽鳥 亘 ,  中村 希望
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-327909
公開番号（公開出願番号）：特開2008-141094
出願日： 2006年12月05日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：

【課題】高い拡散防止効果を備えながら応力の少ない電極を有する半導体素子及び、その半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体素子51に形成する電極44を、熱処理を施してオーミック特性を付与する第1電極層30と、熱処理を施さない第2電極層36とに分けて形成することで、熱処理時に生じる応力を低減することができる。また、バリア層を第1バリア層26と第2バリア層28とに分けることで薄層化して、応力を低減するとともに、半田接合時には第1バリア層26と第2バリア層28との間に設けた中間層27を拡散消失させて、あたかも厚い1層のバリア層23として機能させることで、高い拡散防止効果を得ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電極を備えた半導体素子において、 前記電極は、第1のバリア層、中間層、及び第2のバリア層が順次積層された積層構造を有することを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 21/28 ,  H01S 5/042

FI (3件)：

H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B ,  H01S5/042 612

Fターム (35件)：

4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB11 ,  4M104BB13 ,  4M104BB15 ,  4M104CC01 ,  4M104DD23 ,  4M104DD34 ,  4M104DD78 ,  4M104DD92 ,  4M104FF02 ,  4M104FF17 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  4M104GG08 ,  4M104GG13 ,  4M104HH05 ,  4M104HH20 ,  5F173AA05 ,  5F173AA48 ,  5F173AG05 ,  5F173AH02 ,  5F173AK05 ,  5F173AK08 ,  5F173AK14 ,  5F173AK17 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP64 ,  5F173AP71 ,  5F173AP82 ,  5F173AR15 ,  5F173AR99

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-362031   出願人：富士写真フイルム株式会社