特許
J-GLOBAL ID：200903064242893593

半導体発光素子

発明者：
国安 利明

国安 利明 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-362031
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183401
出願日： 1998年12月21日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光素子のP電極において、バリア層を厚膜化することなく、ロウ材の拡散に対するバリア性を向上させる。【解決手段】 P電極12をp-GaAsキャップ層9上に、Ti層12-aを50nm、Pt層12-bを50nm、Ti層12-cを50nm、Pt層12-dを50μm、Au層を12-eを200nmの厚さで順次積層して形成する。このように、バリア層であるTi/Pt層が2重に積層されたTi/Pt/Ti/Pt/Auの5層構造とすることにより、厚膜化することなくバリア性が向上でき、万一Au層近辺のバリア層にInロウ接着材が進入しても、もうひとつのp-GaAs近辺のバリア層で進入を阻止できる。
請求項（抜粋）：
P電極が、コンタクト層上に、Ti層、Pt層、Ti層、Pt層およびAu層をこの順に積層してなる5層構造であることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01S 5/042 610
FI (4件)：
H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 G ,  H01S 3/18 624
Fターム (27件)：
4M104AA05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104GG04 ,  4M104HH04 ,  4M104HH05 ,  5F041AA44 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F073AA11 ,  5F073AA21 ,  5F073AA73 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28 ,  5F073FA22
引用特許：
審査官引用 (9件)
  • 特開昭61-097890
  • 特開昭61-097890
  • 特開昭63-084186
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