特許
J-GLOBAL ID：200903063487694174
半導体レーザー装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-070597
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275920
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】封止樹脂の熱膨張によるレーザーダイオード素子の発光点変位を抑制する。【構成】リードフレーム20に前方発光端面と平行な主要部断面を想定し、さらにこの断面の長手方向を水平方向とし、その断面の中心を規定する水平中心線25と垂直中心線26とを想定した場合に、前記封止樹脂11を前記垂直中心線26に対し対称に形成された対称型樹脂層とする。
請求項（抜粋）：
レーザー光を外部に出射可能な前方出射端面を少なくとも具備するレーザーダイオード素子を支持基板を介して平板状の主要部面上に支持・制御するリードフレームと、前記レーザー光の透過可能な樹脂により少なくとも前記レーザーダイオード素子を前記リードフレーム上に封止する封止樹脂層とを有する半導体レーザー装置において;前記リードフレームに前記前方出射端面と平行な前記主要部断面を想定し、さらにこのリードフレーム断面の長手方向を水平方向とし、その断面の中心を規定する水平中心線と垂直方向の中心を規定する垂直中心線とを想定した場合に、前記封止樹脂層は前記垂直中心線に対し対称に形成された対称型樹脂層であることを特徴とする半導体レーザー装置。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
