半導体製造装置の縦型炉

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-197989
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029838
出願日： 1993年07月15日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】半導体製造装置の縦型炉に於いて、ボート装入時の反応室の温度の回復安定を短時間で達成し、ウェーハの処理時間の短縮を図る。【構成】ウェーハ加熱用のヒータ1内部に反応管2が設置され、ボート7に装填されたウェーハ8が前記反応管内反応室に装入、引出しされる半導体製造装置の縦型炉に於いて、前記反応室下部領域に温度センサ12を設け、該温度センサが反応室下部の温度を検出し、従って該温度センサの温度検出結果を基に迅速な温度回復、温度の安定を行える。

請求項（抜粋）：

ウェーハ加熱用のヒータ内部に反応管が設置され、ボートに装填されたウェーハが前記反応管内反応室に装入、引出しされる半導体製造装置の縦型炉に於いて、前記反応室下部領域に温度センサを設けたことを特徴とする半導体製造装置の縦型炉。

IPC (4件)：

H01L 21/22 511 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭63-278227
特開平3-227018
特開平2-218117

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