特許
J-GLOBAL ID：200903063498447187
臨界電流密度及び不可逆磁界の高いMgB2系超電導体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
酒井 正己
, 加々美 紀雄
, 小松 秀岳
, 小松 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-102747
公開番号（公開出願番号）：特開2004-307256
出願日： 2003年04月07日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】臨界電流密度及び不可逆磁界の高いMgB2系超電導体を提供すること。【解決手段】Mg粉末と、B粉末と、元素M(但し、MはTi、Zr及びHfから選ばれた少なくとも1種)の粉末とを、原子比がMg:B:M=1:2:x(0.001≦x≦0.1)となるように混合して得た粉末混合物を成形し、焼結してなるMgB2系超電導体であって、MgB2の結晶粒界に沿って、Mが金属及び/又は硼化物として微細に分散して存在すると共に、その他の不可避的不純物が微細に分散して存在することを特徴とする臨界電流密度及び不可逆磁界の高いMgB2系超電導体。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
Mg粉末と、B粉末と、元素M(但し、MはTi、Zr及びHfから選ばれた少なくとも1種)の粉末とを、原子比がMg:B:M=1:2:x(0.001≦x≦0.1)となるように混合して得た粉末混合物を成形し、焼結してなるMgB2系超電導体であって、MgB2の結晶粒界に沿って、Mが金属及び/又は硼化物として微細に分散して存在すると共に、その他の不可避的不純物が微細に分散して存在することを特徴とする臨界電流密度及び不可逆磁界の高いMgB2系超電導体。
IPC (3件)：
C04B35/58
, C01B35/04
, C01G1/00
C04B35/58 105A
, C01B35/04 C
, C01G1/00 S
4G001BA41
, 4G001BA43
, 4G001BA44
, 4G001BA45
, 4G001BA61
, 4G001BB41
, 4G001BB43
, 4G001BB44
, 4G001BB45
, 4G001BB61
, 4G001BC42
, 4G001BD22
, 4G001BE26
, 4G047JC16
, 4G047KA18
, 4G047KB01
, 4G047KB04
, 4G047KB13
, 4G047KB16
, 4G047KB17
