臨界電流密度の高いMgB2系超電導体及びその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：今井毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-154900
公開番号（公開出願番号）：特開2003-095650
出願日： 2002年05月29日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
要約：

【要約】【課題】製造が容易で量産性に優れ、MgB<SB>2</SB> の高い臨界温度特性を保持したまま優れた超電導特性(高い臨界電流密度等)を示すMgB<SB>2</SB> 系超電導体を得る。【解決手段】図1に示すように、Mg,B及びTiの混合物を加圧成形し、これを大気圧下等にて(望ましくは600°C以上で)焼成することにより、MgB<SB>2</SB> 多結晶体にTi及び/又はTi化合物が分散して存在するMgB<SB>2</SB> 系超電導体を製造する。MgB<SB>2</SB> 系超電導体の組成を、原料添加量の調整によりMg:B:Ti=x:2:yなる原子比で「 0.7<x<1.2 」で「0.07<y<0.3 」の範囲、好ましくは「0.07<y<0.2 」の範囲とするのが良い。

請求項（抜粋）：

TiあるいはTi化合物の何れか又は双方がMgB2 系焼結体中に分散して存在することを特徴とする、臨界電流密度の高いMgB2 系超電導体。

IPC (5件)：

C01G 1/00 , C01B 35/04 ZAA , C04B 35/58 105 , H01B 13/00 565 , H01L 39/12

FI (5件)：

C01G 1/00 S , C01B 35/04 ZAA C , C04B 35/58 105 A , H01B 13/00 565 Z , H01L 39/12 A

Fターム (24件)：

4G001BA61 , 4G001BA68 , 4G001BB41 , 4G001BB61 , 4G001BC12 , 4G001BC13 , 4G001BC23 , 4G001BC54 , 4G001BC56 , 4G001BC57 , 4G001BC62 , 4G001BD22 , 4G001BE26 , 4G047JA05 , 4G047JC16 , 4G047KA01 , 4G047KB04 , 4G047KB13 , 4G047KB17 , 4G047LB01 , 5G321AA98 , 5G321BA01 , 5G321BA03 , 5G321DC99

引用特許：

審査官引用 (4件)

超伝導材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-075781 出願人：松下電器産業株式会社
超伝導材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-092490 出願人：松下電器産業株式会社
MgB2超電導線及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-153274 出願人：古河電気工業株式会社

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引用文献：

審査官引用 (7件)

HIGH TRANSPORT CRITICAL CURRENTS IN DENSE, METAL-CLAD SUPERCONDUCTOR WIRES OF MgB2
Synthesis and processing of MgB2 powders and wires
High critical currents in iron-clad superconducting MgB2 wires

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