特許
J-GLOBAL ID：200903063501167018

熱電変換素子ユニット

発明者：
牧野 一也

牧野 一也 について


出願人/特許権者：
小松エレクトロニクス株式会社

小松エレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-135520
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332642
出願日： 2002年05月10日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：
【要約】【課題】 熱交換部材と金属電極間の熱抵抗を低減することにより熱交換効率の低下を抑え、熱交換能力の向上並びに消費電力の低減が図れるようにする。【解決手段】 熱電変換素子ユニット100-1では、放熱側アルミ板11にアルマイト層111を形成すると共に、該アルマイト層111の上に銅メッキ層(メタライズパターン)113を一体的に形成し、該銅メッキ層113上に放熱側電極115を接合する。放熱側電極115の上にP型とN型の熱電変換素子13a,13bを交互に配列して半田付け等により接合すると共に、各熱電変換素子13a,13bの上に吸熱側電極125を配置して半田付け等により接合する。銅メッキ層113と放熱側電極115とが互いに金属同士で接合される構造のため、密着性が良くかつ熱抵抗も大幅に小さくなり、熱交換効率の向上に寄与する。
請求項（抜粋）：
P型とN型の熱電変換素子を交互に複数並べ、隣接する熱電変換素子同士を上側と下側の金属電極で電気的に直列接続となるように接合すると共に、前記上側または下側の金属電極の少なくともいずれか一方の側に熱交換部材を配置して成る熱電変換素子ユニットにおいて、前記熱交換部材に絶縁層を形成すると共に、前記金属電極と同じ配列パターンを有する金属メッキ層を前記絶縁層上に一体的に形成し、前記金属メッキ層に前記金属電極が接合されて成る構造を有することを特徴とする熱電変換素子ユニット。
IPC (3件)：
H01L 35/30 ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/32
FI (3件)：
H01L 35/30 ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/32 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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