静磁波材料体の溝形成方法とそれを用いた静磁波素子の作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-218785
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044722
出願日： 1999年08月02日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】短時間で断面形状及び深さの制御性の良い溝を作製できる静磁波材料体の溝形成方法とこれを用いた静磁波素子の製造方法を提供する。【解決手段】静磁波材料体4bに溝10、10、・・を形成する静磁波材料体の溝形成方法であって、前記溝10、10、・・を機械加工により形成する。

請求項（抜粋）：

静磁波材料体に溝を形成する静磁波材料体の溝形成方法であって、前記溝を機械加工により形成することを特徴とする静磁波材料体の溝形成方法。

IPC (2件)：

H01P 11/00 , H01P 1/215

FI (2件)：

H01P 11/00 K , H01P 1/215

Fターム (3件)：

5J006HD04 , 5J006LA25 , 5J006LA28

引用特許：

審査官引用 (10件)

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