特許
J-GLOBAL ID：200903063527259042

保護膜付きシリコンウェーハの製造方法およびその製造装置

発明者：
坂本 多可雄

坂本 多可雄 について


出願人/特許権者：
東芝セラミックス株式会社

東芝セラミックス株式会社 について


代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-214973
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067751
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】サセプタとウェーハの離間にワイヤを用いて均一な保護膜を形成する保護膜付きシリコンウェーハ製造方法およびその製造装置を提供する。【解決手段】サセプタ3の表面に設けられたワイヤ製保持手段5にシリコンウェーハ7を載置するので、サセプタ表面部2とシリコンウェーハ7間の離間距離がワイヤ6により均一に保たれ、かつ線接触により最小限に接触面積で接触ですみ、サセプタ3からシリコンウェーハ7への熱伝達はほぼ輻射にとなるため、シリコンウェーハ7は均一温度に加熱され保護膜も均一に形成される。
請求項（抜粋）：
化学蒸着装置内のサセプタの表面部にワイヤ製保持手段を設け、この保持手段のワイヤにシリコンウェーハを載置して前記サセプタ上に前記シリコンウェーハを離間保持し、前記化学蒸着装置内に原料ガスを供給し、前記シリコンウェーハの少なくともに片面に保護膜を形成することを特徴とする保護膜付きシリコンウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/02
FI (3件)：
H01L 21/31 F ,  C23C 16/44 H ,  H01L 21/02 C
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • プラズマCVD装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-282945   出願人：山形日本電気株式会社
  • 特開平2-197128
  • 特開平4-231397
審査官引用 (2件)
  • プラズマCVD装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-282945   出願人：山形日本電気株式会社
  • 特開平2-197128

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