特許

J-GLOBAL ID：200903063534138072

半導体装置

発明者： 土谷 政信
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-125675
公開番号（公開出願番号）：特開2009-277755
出願日： 2008年05月13日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：

【課題】MOSFETを安定して動作させるとともに、SBD領域における耐圧の低下を防ぐことのできる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、MOSFET領域10とSBD領域20とが配置されているn+型半導体基板1と、n+型半導体基板1上に設けられたn型エピタキシャル層2とを備える。MOSFET領域10は、p型ベース領域3に設けられ第1の不純物濃度を有するp+型拡散領域5を備える。SBD領域20は、n型エピタキシャル層2の上面に設けられ第2の不純物濃度を有するp型拡散領域21を備える。p型拡散領域21の有する第2の不純物濃度は、p+型拡散領域5の有する第1の不純物濃度よりも低い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

トランジスタが形成されるトランジスタ領域とショットキーバリアダイオードが形成されるショットキーバリアダイオード領域とが配置されている第1導電型の半導体基板と、 前記半導体基板上に設けられた第1導電型のエピタキシャル層と を備え、 前記トランジスタ領域には、 前記エピタキシャル層の上面に設けられた第2導電型のベース領域と、 前記ベース領域に設けられ第1の不純物濃度を有する第2導電型の第1の高濃度拡散領域と、 前記ベース領域の上面に選択的に設けられた第1導電型の拡散領域と、 前記拡散領域から前記ベース領域を介して前記エピタキシャル層に亘る領域に絶縁膜を介して設けられた制御電極と が形成され、 前記ショットキーバリアダイオード領域には、 前記エピタキシャル層の上面に設けられ前記第1の不純物濃度よりも低い第2の不純物濃度を有する第2導電型の第2の高濃度拡散領域 が形成され、 前記トランジスタ領域において前記第1の高濃度拡散領域及び前記拡散領域に電気的に接続されるとともに、前記ショットキーバリアダイオード領域において前記エピタキシャル層及び前記第2の高濃度拡散領域に電気的に接続され、前記ショットキーバリアダイオード領域の前記エピタキシャル層とショットキー接合を形成する第1の主電極と、 前記半導体基板の下面に電気的に接続された第2の主電極と を備える ことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06

FI (8件)：

H01L29/78 652D ,  H01L29/48 F ,  H01L29/78 657A ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 653A ,  H01L27/06 102A

Fターム (29件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD91 ,  4M104DD96 ,  4M104FF27 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  5F048AA05 ,  5F048AB10 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA04 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB20 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048BE09 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048CB07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-016584   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社デンソー
• 電力用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-335530   出願人：株式会社東芝