半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人コスモス特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-016584
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210392
出願日： 2005年01月25日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】ショットキバリアダイオードとパワーMOSとが同一基板上に形成されたものであって,熱が局所的に集中して発生することを抑制し,高耐圧かつ低オン抵抗であり,製造が容易な半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置200は,ショットキバリアダイオードとパワーMOSトランジスタとが同一基板上に形成されたトレンチゲート型半導体装置であり,ショットキ領域とMOS領域とがトレンチゲート21を境界として交互に配置されている。さらに,N- ドリフト領域12中に濃度が異なる3つの領域(N- ドリフト領域12sm,N--ドリフト領域12s,Nドリフト領域12m)を設けることとしている。具体的に,ショットキ領域に位置するN--ドリフト領域12sは低濃度の領域とし,MOS領域に位置するNドリフト領域12mは高濃度の領域とする。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

ショットキバリアダイオード領域と電界効果トランジスタ領域とが同一の半導体基板に形成され,トレンチゲート構造を有する半導体装置において, 半導体基板内の上面側に位置し,第1導電型半導体であるドリフト領域と, 半導体基板内の上面側であって前記電界効果トランジスタ領域内に位置し,下面が前記ドリフト領域と接し,第2導電型半導体であるボディ領域と, 半導体基板内の上面上であって前記ショットキバリアダイオード領域内に位置する金属層と, 前記ドリフト領域に囲まれ,第2導電型半導体であるフローティング領域と, 底部が前記フローティング領域内に位置し,ゲート電極を内蔵するトレンチ部とを有し, 前記ショットキバリアダイオード領域と前記電界効果トランジスタ領域とは,前記トレンチ部によって区画されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/06 , H01L 21/823 , H01L 29/872 , H01L 29/47

FI (2件)：

H01L27/06 102A , H01L29/48 F

Fターム (29件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB22 , 4M104CC03 , 4M104FF31 , 4M104GG03 , 4M104GG14 , 5F048AA05 , 5F048AA09 , 5F048AB07 , 5F048AC10 , 5F048BA04 , 5F048BA12 , 5F048BB01 , 5F048BB05 , 5F048BB20 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BD01 , 5F048BD07 , 5F048BD09 , 5F048BE09 , 5F048BF15 , 5F048BF17 , 5F048BF18

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-398857 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-024284 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (6件)

ショットキーダイオード付きトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-005271 出願人：新電元工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-024284 出願人：株式会社東芝
特表平5-506335

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