特許
J-GLOBAL ID:200903063563755625

中空シリカ粒子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 大谷 保 ,  東平 正道 ,  片岡 誠 ,  平澤 賢一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-047242
公開番号(公開出願番号):特開2009-203115
出願日: 2008年02月28日
公開日(公表日): 2009年09月10日
要約:
【課題】平均粒子径及び比表面積が小さい中空シリカ粒子、並びにその製造方法を提供する。【解決手段】(1)平均粒子径が0.1〜1μmで、粒子全体の80%以上が平均粒子径±30%以内の粒子径を有し、かつBET比表面積が30m2/g未満である中空シリカ粒子、及び(2)粉末X線回折測定において、面間隔(d)が1〜12nmの範囲に相当する回折角(2θ)にピークを示す、粒子内部に空気を含有する中空シリカ粒子(A)、又は焼成により消失して中空部位を形成する材料を内包するコアシェル型シリカ粒子(B)を、950°Cを超える温度で焼成する、BET比表面積が30m2/g未満の中空シリカ粒子の製造方法である。【選択図】なし
請求項(抜粋):
平均粒子径が0.05〜1μmで、粒子全体の80%以上が平均粒子径±30%以内の粒子径を有し、かつBET比表面積が30m2/g未満である中空シリカ粒子。
IPC (4件):
C01B 33/18 ,  C01B 33/152 ,  B01J 13/20 ,  B01J 13/04
FI (4件):
C01B33/18 Z ,  C01B33/152 B ,  B01J13/02 K ,  B01J13/02 A
Fターム (34件):
4G005AA04 ,  4G005AB01 ,  4G005BA12 ,  4G005BB06 ,  4G005BB24 ,  4G005DA05Z ,  4G005DA13W ,  4G005DC03W ,  4G005DC15W ,  4G005DC42W ,  4G005DC58Y ,  4G005DC61W ,  4G005DD07X ,  4G005DD13X ,  4G005EA06 ,  4G072AA25 ,  4G072BB07 ,  4G072BB16 ,  4G072BB20 ,  4G072HH28 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ11 ,  4G072JJ22 ,  4G072JJ41 ,  4G072JJ47 ,  4G072MM01 ,  4G072MM22 ,  4G072MM31 ,  4G072MM36 ,  4G072PP17 ,  4G072TT01 ,  4G072TT06 ,  4G072UU07 ,  4G072UU30
引用特許:
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る