半導体記憶装置とそれを用いたメモリモジュール

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：徳若光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-031403
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203297
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】多様性を持つ半導体記憶装置とそれを用いて実質的な製品歩留りを高くできるメモリモジュールを提供する。【構成】メモリマットの単位でメモリセルの選択動作を行い、メモリセルへの書き込み信号を受ける第2の入力バッファとメモリセルからの読み出し信号を出力する出力バッファと欠陥情報が書き込まれる記憶手段を設け、記憶された欠陥信号によりセンスアンプとメモリセルに対する実質的な電源遮断行う第1の半導体記憶装置Aと、第2の半導体記憶装置Bが同じメモリマットを持ち、アドレス情報が書き込まれる記憶回路とその記憶アドレスと入力されたアドレス信号とを比較してマット選択信号を形成し、それに対応した入力バッファ又は出力バッファの動作を有効にし、メモリマットに対応した複数組の入出力端子を実装基板上で第1の記憶装置Aの対応する端子と接続させてメモリマットの単位での救済を行う。

請求項（抜粋）：

内部アドレス信号又はプリデコード信号及び制御信号をそれぞれ受ける第1の入力バッファ回路と、かかる第1の入力バッファを通して入力されたアドレス信号又はプリデコード信号を解読して、1ないし複数の単位でのメモリセルの選択動作を行うアドレス選択回路と、かかるアドレス選択回路により複数のワード線と複数のビット線との交点にマトリックス配置されてなるメモリセルの選択が行われるメモリアレイと、上記メモリセルへの書き込み信号を受ける第2の入力バッファ及びメモリセルからの読み出し信号を出力する出力バッファと、欠陥情報が書き込まれる記憶手段と、かかる記憶手段に記憶された欠陥信号によりセンスアンプとメモリセルに対する実質的な電源遮断行う電源回路とを含む複数のメモリマットを備え、上記メモリマット内に直流的な不良が発生したときに上記記憶手段に欠陥情報を書き込むとともにかかる欠陥信号により上記第1及び第2の入力バッファと出力バッファの出力をハイインピーダンス状態にしてなることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6件)：

G11C 29/00 301 , G11C 11/413 , G11C 11/401 , H01L 21/82 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (4件)：

G11C 11/34 341 C , G11C 11/34 371 D , H01L 21/82 R , H01L 27/10 691

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-181589
半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-226895 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
特開平4-241442

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