特許
J-GLOBAL ID：200903063571744314

窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法

発明者：
國里 竜也

國里 竜也 について

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大保 広樹

大保 広樹 について

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林 伸彦

林 伸彦 について

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狩野 隆司

狩野 隆司 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-392946
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184707
出願日： 2000年12月25日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】基板の上面に、少ない成長工程の回数で、転位が少なく、かつ、離脱に起因する結晶欠陥の少ない結晶性の良好な窒化物系半導体層を形成することが可能な窒化物系半導体の形成方法を提供する。【解決手段】サファイア基板1の上面上に、サファイア基板1の上面の一部が露出するように、SiNからなるマスク層2を形成する工程と、露出されたサファイア基板1の上面上およびマスク層2の上面上に、AlGaNバッファ層3を形成する工程と、その後、GaN層4を成長させる工程とを備えている。
請求項（抜粋）：
基板の上面上に、前記基板の上面の一部が露出するように、マスク層を形成する工程と、前記露出された基板の上面上および前記マスク層の上面上に、バッファ層を形成する工程と、その後、窒化物系半導体層を成長させる工程とを備えた、窒化物系半導体の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 C
Fターム (44件)：
4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  4K030LA11 ,  5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041AA42 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA08 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045HA12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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