特許

J-GLOBAL ID：200903063572802628

ヘテロ接合型電界効果トランジスタの素子間分離方法

発明者： 榎木 孝知 ,  赤崎 達志 ,  荒井 邦博
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-092857
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291306
出願日： 1992年04月13日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】ゲートリーク電流の増加を抑止する、ヘテロ接合型電界効果トランジスタの素子間分離方法を得る。【構成】ヘテロエピタキシャル構造の素子間分離エッチング端面に露出する狭いバンドギャップ半導体層13を、さらに選択的にエッチングし、狭いバンドギャップ半導体のみを上記端面から後退させる。

請求項（抜粋）：

基板上に、広いバンドギャップ半導体層と狭いバンドギャップ半導体層と広いバンドギャップ半導体層とを順次積層したヘテロエピタキシャル構造の素子間を、エッチングにより除去し電気的に分離するヘテロ接合型電界効果トランジスタの素子間分離方法において、エッチング端面に露出する上記狭いバンドギャップ半導体層を選択的にエッチングし、上記狭いバンドギャップ半導体のみを上記端面から後退させ、オーバーハング形状にすることを特徴とするヘテロ接合型電界効果トランジスタの素子間分離方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/76

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-318165
  
• 特開平4-280642
  
• 化合物半導体装置の製造方法およびその選択エッチング液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-066770   出願人：松下電器産業株式会社
• ヘテロ接合FET及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-072777   出願人：三菱電機株式会社