特許

J-GLOBAL ID：200903063612350164

単一材料の校正目標を作成するための方法および器具を校正するための方法

発明者： エレン・アール・レアード ,  ダブリュー・ミューレイ・ブリス ,  ジェイムズ・ジェイ・グリード・ジュニア ,  ブラッドリー・ダブリュー・シアー
出願人/特許権者： ブィ・エル・エス・アイ・スタンダーズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-264759
公開番号（公開出願番号）：特開平9-152324
出願日： 1996年10月04日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】 トポグラフィックインスペクション器具のための校正目標であって、ミクロメータより低い分解能レベルで動作し、原子スケールの距離で縦方向の高さに10Åのオーダの基準マークを有するものを提供する。【解決手段】 典型的な熱酸化物のような厚い酸化物をウェーハ表面上に堆積することによってウェーハといったシリコン基板(20)上に基準マークを形成する。基準マークのパターンはウェーハ表面の裸シリコンのレベルにパターン化され、かつエッチングされる。エッチングされた区域は薄い酸化物に代えられ、これはこの区域のシリコンレベルをわずかに下げる。すべての酸化物は取除かれ、わずかに低いレベルのシリコンは原子スケールの縦方向のトポグラフィック寸法を有する基準マークとなる。何百万個ものこのような基準マークはウェーハ上に同時に作成されて、研磨されたウェーハ上のヘイズまたはミクロの粗さの影響を模倣する。

請求項（抜粋）：

原子スケールの縦方向のトポグラフィック寸法を有する単一材料の校正目標を作成するための方法であって、前記方法は、そのような寸法を測定することのできる器具をテストするためのものであり、第1の材料からなる上表面を有する基板を設けるステップと、第2の材料の第1の層を、前記第2の材料と前記第1の材料との化合によって形成するステップと、均一のフィールドに互いに分けられた基準マークを備えた前記第2の材料をパターン化するステップとを含み、前記基準マークは領域方向の形状および光を散乱させるための分布を有し、さらに前記方法は前記均一のフィールドを保護しつつ前記第2の材料を通って前記第1の材料までエッチングすることによって前記基準マークを作成するステップを含み、前記基準マークは前記フィールドにあるアパーチャであり、さらに前記アパーチャに前記第2の材料の第2の層を形成するステップを含み、前記第2の層は原子スケール量だけ前記第1の層のレベルより下に延び、前記第2の層は前記第1の層よりも実質的に薄く、さらに前記第2材料すべてを前記基板から取除くステップを含む、単一材料の校正目標を作成するための方法。

IPC (3件)：

G01B 11/30 ,  G01N 37/00 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01B 11/30 Z ,  G01N 37/00 A ,  H01L 21/66 J

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 測長校正法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-209075   出願人：日本電信電話株式会社
• 測定される変位の量を較正する標準試料の製法及び標準試料並びに測定装置及び較正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-030062   出願人：大見忠弘