特許

J-GLOBAL ID：200903063616195554

薄膜コンデンサ

発明者： 内藤 康行 ,  坂部 行雄
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-033613
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245233
出願日： 1994年03月03日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】 より小型であって、しかも回路基板上の実装スペースを減じることができる構造を有する薄膜コンデンサを提供する。【構成】 絶縁基板1の両主面に第1、第2の容量電極2、2 ́が形成され、該第1、第2の容量電極2、2 ́は貫通孔7を介して互いに電気的に接続され、前記絶縁基板1の一方の主面に形成された前記第1の容量電極2の上に誘電体薄膜3が形成され、該誘電体薄膜3の上に前記第1の容量電極2とはギャップを置いて第3の容量電極4が形成されている薄膜コンデンサ。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の両主面に第1、第2の容量電極が形成され、該第1、第2の容量電極は貫通孔を介して互いに電気的に接続され、前記絶縁基板の一方の主面に形成された前記第1の容量電極の上に誘電体薄膜が形成され、該誘電体薄膜の上に前記第1の容量電極とはギャップを置いて第3の容量電極が形成されていることを特徴とする薄膜コンデンサ。

IPC (2件)：

H01G 4/12 424 ,  H01G 4/33

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-270311
  
• スルーホール導体形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-050283   出願人：松下電器産業株式会社
• 積層薄膜コンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-153381   出願人：日本セメント株式会社