画像表示装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小野寺洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-314064
公開番号（公開出願番号）：特開2008-129314
出願日： 2006年11月21日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：

【課題】アクティブ基板の製造におけるホト工程を削減し、製造コストを低減する。【解決手段】ボトムゲート型TFT基板における前記ゲート電極4を絶縁基板1の主面上に有する透明導電膜からなる画素電極3と同層の透明導電膜16を下層とし、その上層に金属膜26を重ねた積層電極膜で構成し、画素電極3を透明導電膜16とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板の主面に薄膜トランジスタで構成される多数の画素を有するアクティブ基板を備えた画像表示装置であって、前記薄膜トランジスタのゲート電極が、前記絶縁基板の主面上の当該薄膜トランジスタの能動層を構成する半導体膜の下層に位置し、ソース・ドレイン電極が該半導体の上部に接続したボトムゲート型であり、前記ゲート電極は前記絶縁基板の主面上に有する透明導電膜からなる画素電極と同層の透明導電膜を下層とし、その上層に金属膜を重ねた積層膜であり、前記画素電極は前記透明導電膜であることを特徴とする画像表示装置。

IPC (7件)：

G09F 9/30 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 29/417 , H01L 51/50 , H05B 33/10 , G02F 1/136

FI (7件)：

G09F9/30 338 , H01L29/78 612D , H01L29/78 617L , H01L29/50 M , H05B33/14 A , H05B33/10 , G02F1/1368

Fターム (93件)：

2H092JA26 , 2H092JA40 , 2H092JA46 , 2H092JA48 , 2H092JB24 , 2H092JB57 , 2H092JB65 , 2H092JB66 , 2H092JB69 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KA22 , 2H092KB04 , 2H092KB14 , 2H092KB24 , 2H092MA37 , 2H092NA27 , 2H092PA02 , 2H092PA08 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 3K107GG01 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD63 , 4M104FF13 , 4M104FF16 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094DA13 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094FB19 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC07 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110FF02 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG44 , 5F110HJ13 , 5F110HK03 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HL03 , 5F110HL22 , 5F110HM15 , 5F110HM18 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP29 , 5F110QQ08

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタマトリクスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-106360 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (6件)

特開平2-019840
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-232287 出願人：日本電気株式会社
液晶表示装置および液晶表示装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-328461 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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