特許

J-GLOBAL ID：200903063632442103

部分重合した樹脂

発明者： フォスター,パメラ エス. ,  エッカー,アーネスト エル. ,  ラッター,エドワード ダブリュ.,ジュニア. ,  モイヤー,エリック エス.
出願人/特許権者： ザ ダウ ケミカル カンパニー
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-524462
公開番号（公開出願番号）：特表平8-510273
出願日： 1994年04月25日
公開日（公表日）： 1996年10月29日
要約：

【要約】(a) DVS樹脂が、固体基材上の薄層に塗布し重合した場合に、ひび割れをおこさず、かつ(b) DVS樹脂が、光子照射された際に有機不溶性固体にするに十分な量の少なくとも1種の感光性試薬の添加により光硬化性にされた際に、溶媒による現像において少なくとも50パーセントのフィルム残率を与える、ように溶媒中における当初のDVSモノマーの濃度において溶媒中でDVSモノマーを加熱することを含む、部分重合したDVS樹脂の形成方法。この方法は工業スケールに容易にスケールアップすることができ、沈澱溶媒から分離しなければならない低分子量画分をほとんどもしくはまったく発生せず、その保全性を保つ基材上にフィルムを形成するために用いてよい新規DVS樹脂を製造する。

請求項（抜粋）：

部分重合したDVS樹脂の形成方法であって、 (a) DVS樹脂が、固体基材上の薄層に塗布し重合した場合に、ひび割れをおこさず、かつ (b) DVS樹脂が、光子照射された際に有機不溶性固体にするに十分な量の少なくとも1種の感光性試薬の添加により光硬化性にされた際に、溶媒による現像において少なくとも50パーセントのフィルム残率を与えるように溶媒中における当初のDVSモノマーの濃度において溶媒中でDVSモノマーを加熱することを含む方法。

IPC (2件)：

C08G 77/20 NUG ,  G03F 7/075 511

FI (2件)：

C08G 77/20 NUG ,  G03F 7/075 511

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特許第3213001号
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Benzocyclobutene Interlayer Dielectrics for Thin Film Multichip Modules