特許

J-GLOBAL ID：200903063634616788

インプリント・リソグラフィを使用した段階的構造体の形成方法

発明者： スリニーヴァッサン,シトルガタ・ヴイ
出願人/特許権者： モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド
代理人 (2件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-513194
公開番号（公開出願番号）：特表2006-524919
出願日： 2004年04月21日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

本発明は、基板上に配置された段階的構造体の反転形状を基板に転写することを特徴形状とする、段階的構造体を基板上に形成するための方法を提供する。

請求項（抜粋）：

基板上に段付き構造体を形成する方法であって、 前記基板上である形状を有する多段構造体を形成する段階と、 前記形状の反転させたものを前記基板に転写する段階と、 を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/320 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L21/88 B ,  H01L21/30 502D

Fターム (18件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH23 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ23 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ16 ,  5F033RR21 ,  5F046AA28

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第5,772,905号
  

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の絶縁層加工方法および半導体装置の絶縁層加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-126977   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭60-247243