特許
J-GLOBAL ID：200903022169552699

半導体装置の絶縁層加工方法および半導体装置の絶縁層加工装置

発明者：
小山 一英

小山 一英 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-126977
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330235
出願日： 1998年05月11日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 低誘電率膜への配線溝や接続孔、さらにはこれら両者の微細加工を、より低コストでしかも短TATで行うことことのできる、半導体装置の絶縁層加工方法の提供が望まれている。【解決手段】 被処理基体23上に絶縁層24を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層24に配線溝29を形成する配線溝形成工程と、配線溝29に導電材料を埋め込む埋め込み工程とを備えてなる絶縁層加工方法である。配線溝形成工程は、形成すべき配線溝29を反転した形状の表層部28を有してなる反転型を用い、被処理基体23あるいは反転型あるいはこれら両方を加熱しながら反転型を絶縁層24表面に押しつけ、これにより絶縁層表層部に配線溝29を形成する処理を備えている。
請求項（抜粋）：
被処理基体上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、該絶縁層に配線溝を形成する配線溝形成工程と、該配線溝に導電材料を埋め込む埋め込み工程とを備えてなる絶縁層加工方法において、前記配線溝形成工程は、形成すべき配線溝を反転した形状の表層部を有してなる反転型を用い、前記被処理基体あるいは反転型あるいはこれら両方を加熱しながら該反転型を前記絶縁層表面に押しつけ、これにより該絶縁層表層部に配線溝を形成する処理を備えてなることを特徴とする半導体装置の絶縁層加工方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205
FI (4件)：
H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/88 N
引用特許：
審査官引用 (5件)
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