特許

J-GLOBAL ID：200903063639612918

パターン転写方法、電子装置の製造方法、並びに液体噴射装置

発明者： 梅津 一成
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-131029
公開番号（公開出願番号）：特開2006-308842
出願日： 2005年04月28日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：

【課題】 表面の凹凸が比較的大きい基板に対して、焦点ずれが小さく、高精度なパターン形成を行うことが可能なパターン転写方法を提供する。【解決手段】 本発明のパターン転写方法は、露光装置EXPを用いた光照射によってマスクM1に形成されたパターンを基板Pに転写する方法であって、露光装置EXPの焦点深度と基板Pの表面高さ形状とに基づいて、パターンに対して複数のブロック領域(B1,B2,B3,B4,...)を設定する工程と、パターンにおける複数のブロック領域(B1,B2,B3,B4,...)の各々ごとに、焦点位置を変化させながら光照射を行う工程とを有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

露光装置を用いた光照射によってマスクに形成されたパターンを基板に転写する方法であって、 前記露光装置の焦点深度と前記基板の表面高さ形状とに基づいて、前記パターンに対して複数のブロック領域を設定する工程と、 前記パターンにおける前記複数のブロック領域の各々ごとに、焦点位置を変化させながら前記光照射を行う工程とを有することを特徴とするパターン転写方法。

IPC (3件)：

G03F 7/20 ,  B41J 2/16 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F7/20 501 ,  B41J3/04 103H ,  H01L21/30 514C

Fターム (17件)：

2C057AF93 ,  2C057AG14 ,  2C057AG42 ,  2C057AG91 ,  2C057AP02 ,  2C057AP32 ,  2C057AP34 ,  2C057AP55 ,  2H097BB04 ,  2H097BB10 ,  2H097GB01 ,  2H097LA09 ,  2H097LA11 ,  2H097LA15 ,  5F046BA04 ,  5F046DA14 ,  5F046DD03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• マスク、マスクの製造方法、微細構造体の製造方法、及び液晶ディスプレイの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-091340   出願人：セイコーエプソン株式会社