特許
J-GLOBAL ID：200903063650720650
高分子シリコーン化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-227633
公開番号（公開出願番号）：特開平11-302382
出願日： 1998年07月28日
公開日（公表日）： 1999年11月02日
要約：
【要約】 (修正有)【解決手段】 式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子シリコーン化合物又はこの高分子シリコーン化合物のカルボキシル基又はカルボキシル基と水酸基の水素原子の一部又は全部が1種又は2種以上の酸不安定基により置換されている重量平均分子量1,000〜50,000の高分子シリコーン化合物。(式中、Zは2価〜6価の非芳香族系の単環式もしくは多環式炭化水素基又は有橋環式炭化水素基、Z’は2価〜6価の、直鎖状もしくは分岐状の炭化水素基、又は非芳香族系の単環式もしくは多環式炭化水素基又は有橋環式炭化水素基である。R1は-OCHR-R’-OH又は-NHCHR-R’-OHで示される基、R2はアルキル基又はアルケニル基、又は非芳香族系の1価の多環式炭化水素基又は有橋環式炭化水素基を示す。)【効果】 高エネルギー線に感応し、感度、解像性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が1,000〜50,000である高分子シリコーン化合物。【化1】[式中、Zは2価〜6価の炭素数5〜12の非芳香族系の単環式もしくは多環式炭化水素基又は有橋環式炭化水素基、Z’は2価〜6価の炭素数1〜20の直鎖状もしくは分岐状の炭化水素基又は炭素数3〜20の非芳香族系の単環式もしくは多環式炭化水素基又は有橋環式炭化水素基であり、これらの基は、炭素-炭素結合間に窒素原子、酸素原子又は硫黄原子が介在されていてもよく、炭素原子上の水素原子はハロゲン原子、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基又はアセチル基で置換されていてもよく、炭素骨格中のメチレン基はカルボニル基に置換されていてもよい。x、y、zは上記Z、Z’の価数に応じ、それぞれ1〜5の整数を示す。R<SP>1</SP>は下記一般式(2a)又は(2b)で示される基、R<SP>2</SP>は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状の非置換もしくは置換のアルキル基又はアルケニル基、又は炭素数5〜12の非芳香族系の1価の多環式炭化水素基又は有橋環式炭化水素基を示す。【化2】(式中、Rは水素原子、水酸基又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R’は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示し、これらアルキル基、アルキレン基は炭素-炭素結合中に酸素原子が介在されていてもよく、また炭素結合水素原子の一部が水酸基で置換されていてもよい。更に、RとR’はそれぞれ互いに環を形成してもよく、環を形成する場合には、R、R’はそれぞれ炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。)式(1)において、p1は正数、p2、p3、p4は0又は正数であり、かつp1+p2+p3+p4=1で、0<p1/(p1+p2+p3+p4)≦0.90≦p2/(p1+p2+p3+p4)≦0.80≦p3/(p1+p2+p3+p4)≦0.70≦p4/(p1+p2+p3+p4)≦0.9を満足する数である。]
IPC (4件)：
C08G 77/04
, G03F 7/039 601
, G03F 7/075 511
, H01L 21/027
C08G 77/04
, G03F 7/039 601
, G03F 7/075 511
, H01L 21/30 502 R
