特許

J-GLOBAL ID：200903063682065815

基板の加熱装置及び基板の加熱方法

発明者： ロバート・ディー・マイロ ,  ダグラス・エス・シャッツ
出願人/特許権者： コンセプト・システムズ・デザイン・インコーポレイテッド ,  アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-213378
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003863
出願日： 1997年08月07日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】 CVDチャンバに必要な洗浄の頻度の低い、半導体ウェハを均一かつ正確に加熱する化学蒸着装置の加熱装置を提供する。【解決手段】 基板の加熱装置(1)であって、複数の領域を備えたラジオ周波数誘導コイル(18)を有する第1の加熱要素と、複数の領域を備えたラジオ周波数誘導コイル(20)を有する第2の加熱要素を有し、前記複数の領域の各々が、別個に電力を供給されて、前記基板の対応する部分を加熱することを特徴とする基板の加熱装置。

請求項（抜粋）：

基板の加熱装置であって、複数の領域を備えたラジオ周波数誘導コイルを有する第1の加熱要素を有し、前記複数の領域の各々が、別個に電力を供給されて、前記基板の対応する部分を加熱することを特徴とする基板の加熱装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  C30B 25/10 ,  C30B 29/06 502 ,  H05B 6/06 393 ,  H05B 6/44

FI (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  C30B 25/10 ,  C30B 29/06 502 E ,  H05B 6/06 393 ,  H05B 6/44

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 気相結晶成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-148680   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭58-145697
  
• 特開平4-239120
  
• 特開昭59-044819
  
• 特開昭59-163820
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-284209   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開昭61-159723
  
• ハイブリッドコンダクタおよび複数半径ドーム型シーリングを備えた高周波プラズマリアクタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-028140   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド