特許
J-GLOBAL ID：200903063695116575
薄膜キャパシタ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
武 顕次郎
, 鈴木 市郎
, 市村 裕宏
, 小林 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-312813
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146748
出願日： 2002年10月28日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】絶縁性基板のビアホールを介してグランド電極等に接続される薄膜キャパシタ素子において、ビアホールに接続するリード部のインダクタンス成分を少なくすること。【解決手段】低温焼成セラミック基板からなる絶縁性基板1のビアホール1a内にAg等の導電材5を充填し、この絶縁性基板1上に下部電極2と誘電体層3および上部電極4を薄膜形成することにより、キャパシタの容量値が誘電体層3を介して対向する下部電極2と上部電極4の重なり部分によって規定された薄膜キャパシタ素子を形成した。ここで、誘電体層3をビアホール1a(導電材5)を中心とする円環状に形成すると共に、誘電体層3の内周縁から内方へ露出する部分を下部電極2のリード部2aとなし、このリード部2aを導電材5を介して絶縁性基板1裏面のグランド電極6に接続した。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
内部に導電材が充填されたビアホールを有する絶縁性基板と、この絶縁性基板上に順次積層された下部電極と誘電体層および上部電極とを備え、前記下部電極と上部電極のいずれか一方を前記導電材の端面に接続すると共に、前記誘電体層を前記ビアホールを包囲するように環状に形成したことを特徴とする薄膜キャパシタ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5E082AB01
, 5E082BB05
, 5E082BC14
, 5E082EE05
, 5E082EE23
, 5E082EE37
, 5E082FF05
, 5E082FG03
, 5E082MM22
, 5E082MM23
, 5E082MM24
