特許

J-GLOBAL ID：200903063695545026

半導体装置の異常検出装置

発明者： 山上 俊光
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 青木 輝夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-371575
公開番号（公開出願番号）：特開2003-172760
出願日： 2001年12月05日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】 寿命を判定するために、電流検出、放熱フィン温度検出、素子温度推定部、熱ストレス回数演算部など寿命判定のための回路規模が大きくなる。【解決手段】 半導体素子1に一方及び他方の素子電極2、3を半田で接合して構成される電力半導体9を有する半導体装置の異常検出装置であって、電力半導体9のオン作動時における一方及び他方の素子電極2、3近傍の温度のそれぞれを熱電対6、7で測定して電力半導体9の検出温度を検出する温度検出手段と、検出温度を判定基準値と比較することで半田の劣化による電力半導体9の寿命を判定して半導体装置8の寿命予告を行う判定部13と、寿命予告を寿命予告出力信号を出力する寿命予告出力端子14とを備えたものである。

請求項（抜粋）：

半導体素子に一方及び他方の素子電極を半田付けして構成される電力半導体を有する半導体装置の異常検出装置であって、前記電力半導体のオン作動時における前記一方及び他方の素子電極近傍の温度のそれぞれを熱電対で測定して前記電力半導体の検出温度として検出する温度検出手段と、前記検出温度を判定基準値と比較することで前記半田の劣化による前記電力半導体の寿命を判定して前記半導体装置の寿命予告を行う判定手段と、前記寿命予告を寿命予告信号として出力する出力手段とを備えたことを特徴とする半導体装置の異常検出装置。

FI (2件)：

G01R 31/26 D ,  G01R 31/26 H

Fターム (8件)：

2G003AA01 ,  2G003AA03 ,  2G003AB01 ,  2G003AB05 ,  2G003AB16 ,  2G003AB18 ,  2G003AC03 ,  2G003AH00

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-302905   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-302905   出願人：株式会社東芝