特許

J-GLOBAL ID：200903063700231582

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 林 伸彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-370899
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196195
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】 製造効率が高くかつ格子欠陥の少ない高品質な半導体発光素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 サファイア基板1上に、上面、底面および側面からなる段差部40を有する第1のGaN系半導体層200が形成される。段差部40の底面上の一領域にはSiO2 膜6が形成される。段差部40の上面上に第2のGaN系半導体層300が形成されるとともに、第2のGaN系半導体層300の横方向の成長により、SiO2 膜6上に第3のGaN系半導体層400が形成される。第2のGaN系半導体層300上にSiO2 膜12が形成され、このSiO2 膜12上および第3のGaN系半導体層400上にn電極が形成される。また、GaN系半導体層200上にp電極25が形成される。

請求項（抜粋）：

基板上にガリウム、アルミニウム、インジウムおよびホウ素の少なくとも1つを含む第1の窒化物系半導体層が形成され、前記第1の窒化物系半導体層上の所定領域に絶縁膜が形成され、前記第1の窒化物系半導体層上の前記絶縁膜を除く領域にガリウム、アルミニウム、インジウムおよびホウ素の少なくとも1つを含む第2の窒化物系半導体層が形成され、前記絶縁膜上に前記第2の窒化物系半導体層から横方向に延びかつ発光層を含むガリウム、アルミニウム、インジウムおよびホウ素の少なくとも1つを含む第3の窒化物系半導体層が形成されたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C

Fターム (17件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA77 ,  5F041CB02 ,  5F041CB03 ,  5F041CB04 ,  5F073AA07 ,  5F073AA26 ,  5F073AA35 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CA18 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-174590   出願人：株式会社日立製作所