特許
J-GLOBAL ID：200903063713603551
単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
伊藤 求馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-321052
公開番号（公開出願番号）：特開平10-139589
出願日： 1996年11月14日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：
【要約】【課題】 単結晶成長中の温度分布の変動、原料ガス中のSi/C比の変動を抑制し、欠陥の少ない高品質な単結晶を製造する方法を提供する。【解決手段】 黒鉛製ルツボ1内に配した種結晶3に原料ガスを供給し、該種結晶3上にSiC単結晶を成長させるにあたり、種結晶3の成長表面31と原料粉末2の間に形成される単結晶成長空間を取り囲むように、予め内表面をSiC多結晶5で被覆した筒状部材4を配置し、その状態で単結晶を成長させる。種結晶3の近傍に、予めSiC多結晶5を配置しておくことで、ルツボ1の側壁に多結晶が堆積することに起因する温度変動、原料ガスの組成比の変動や不純物の混入が防止でき、欠陥の少ない高品質な単結晶を製造することができる。
請求項（抜粋）：
反応容器内に配した種結晶に製造しようとする単結晶の原料ガスを供給し、該種結晶上に単結晶を成長させる単結晶の製造方法において、上記種結晶の成長表面と原料供給部の間に形成される単結晶成長空間を取り囲むように、製造しようとする単結晶と同種の多結晶、焼結体または反応焼結体を配置し、その状態で単結晶を成長させることを特徴とする単結晶の製造方法。
引用特許：
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