核上に単結晶シリコンカーバイドを形成するための装置および方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-088467
公開番号（公開出願番号）：特開平10-036195
出願日： 1997年04月07日
公開日（公表日）： 1998年02月10日
要約：

【要約】【課題】従来のシリコンカーバイドの形成装置においては、結晶品質を低下させるグラファイト化が起こっていた。【解決手段】核上にSiCを形成するための装置であって、るつぼを形成するとともに少なくとも1つの壁(102、110、112)によって画成されかつSiC核122を受容し得る第1容器100と、SiCソースを形成するSiC粉末貯蔵器118と、SiCソースとSiC核122との間に第1温度勾配を確立し得る加熱手段120と、を具備してなり、前記壁(102、110、112)が、実質的に、少なくとも1つのSiC層116により囲まれている。

請求項（抜粋）：

核上にSiCを形成するための装置であって、るつぼを形成するとともに、少なくとも1つの壁によって画成され、かつ、SiC核を受容し得る第1容器と、SiCソースを形成するSiC粉末貯蔵器と、前記SiCソースと前記SiC核との間に第1温度勾配を確立し得る加熱手段と、を具備してなり、前記壁が、実質的に、少なくとも1つのSiC層により囲まれていることを特徴とする装置。

IPC (2件)：

C30B 29/36 , C30B 23/00

FI (2件)：

C30B 29/36 A , C30B 23/00

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開昭62-066000
特開昭50-047900
特開平4-055397

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審査官引用 (7件)

特開昭62-066000
特開昭50-047900
特開平4-055397

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