特許

J-GLOBAL ID：200903063749510320

シリコン系被処理物の酸化処理方法、酸化処理装置および半導体装置の製造方法

発明者： 山内 健資 ,  塩澤 順一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-107878
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294551
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】シリコン基板のようなシリコン系被処理物を1000°Cより低い温度で異方性の酸化を実行し得るシリコン系被処理物の酸化処理方法を提供する。【解決手段】シリコン系被処理物10を酸素ラジカルを含むプラズマに曝すと共に、前記基板に直流電圧5を印加することにより異方性の酸化を行うことを特徴とするシリコン系被処理物10の酸化処理方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン系被処理物を酸素ラジカルを含むプラズマに曝すと共に、前記基板に直流電圧を印加することにより異方性の酸化を行うことを特徴とするシリコン系被処理物の酸化処理方法。

IPC (2件)：

H01L21/316 ,  H01L21/31

FI (2件)：

H01L21/316 A ,  H01L21/31 A

Fターム (17件)：

5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF03 ,  5F045BB07 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコン基板の酸化膜形成装置及び酸化膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-079232   出願人：キヤノン販売株式会社
• 基板の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-201148   出願人：月島機械株式会社