半導体発光素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-096495
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283845
出願日： 1996年04月18日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】低しきい値電流密度で発振する半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型GaAs基板11上に、n型ZnSeエピタキシャル層12、n型ZnMgSSeクラッド層13、n型ZnSSe光導波層14、ZnCdSe活性層15、p型ZnSSe光導波層16、p型ZnMgSSeクラッド層17、p型ZnTeコンタクト層18、多結晶ZnOとAlOとから成る埋込層19を形成する。さらにp型AuPd電極110とn型In電極111とを形成する。ここでは、多結晶ZnOとAl2O3の積層構造の埋込層19を電流狭窄層と光閉込め層に用いていることにより、熱放散が良いことから低しきい値電流密度と長寿命が実現できる。また効果的な光閉込めにより単一横モードレーザ発振が得られる。

請求項（抜粋）：

II-VI族半導体エピタキシャル層と、該II-VI族半導体エピタキシャル層の上に設けられたZnO層と、該ZnO層の上に設けられたZnO以外の絶縁物層と、を備える、半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

光集積デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-176785 出願人：日本板硝子株式会社
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-044451 出願人：株式会社東芝

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