特許

J-GLOBAL ID：200903063755731053

半導体レーザ装置

発明者： 松本 光晴 ,  林 伸彦 ,  後藤 壮謙 ,  國里 竜也 ,  茨木 晃
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-115762
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316563
出願日： 1995年05月15日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 高出力特性および低雑音特性を実現しつつ横モードが安定でかつ設計の自由度が大きい半導体レーザ装置を提供することである。【構成】 p-クラッド層4の平坦部40上およびリッジ部41の側面に活性層3とほぼ等しいバンドギャップを有するp-可飽和吸収層5を形成する。p-可飽和吸収層5上に、発振光のエネルギーよりも大きなエネルギーのバンドギャップを有するn-電流ブロック層7を形成する。

請求項（抜粋）：

活性層に導波路が形成される半導体レーザ装置において、前記導波路の両側の領域上に可飽和吸収層が設けられたことを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-333572   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭61-171186