半導体レーザ装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福島祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-115762
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316563
出願日： 1995年05月15日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】高出力特性および低雑音特性を実現しつつ横モードが安定でかつ設計の自由度が大きい半導体レーザ装置を提供することである。【構成】 p-クラッド層4の平坦部40上およびリッジ部41の側面に活性層3とほぼ等しいバンドギャップを有するp-可飽和吸収層5を形成する。p-可飽和吸収層5上に、発振光のエネルギーよりも大きなエネルギーのバンドギャップを有するn-電流ブロック層7を形成する。

請求項（抜粋）：