特許
J-GLOBAL ID：200903072280107570
半導体レーザ
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-333572
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193316
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 自励発振型半導体レーザすなわちいわゆるパルセーション型半導体レーザにおいて、高出力化と低非点隔差化をはかるものである。【構成】 Alを含むIII-V族系半導体レーザにおいて、第1導電型の第1のクラッド層22と、活性層23と、第2導電型の第2のクラッド層24とが順次エピタキシーされ、第2のクラッド層24の電流通路部を挟んでその両側に凹部25が形成され、この凹部25内の第2のクラッド層24の表面に活性層23と同組成の過飽和吸収体層26がエピタキシーされ、この過飽和吸収体層26を介して電流ブロック層27がエピタキシーされ、電流ブロック層27のAlの含有量を第2のクラッド層24のAlの含有量に比し大に選定した構成とする。
請求項（抜粋）：
半導体レーザにおいて、第1導電型の第1のクラッド層と、活性層と、第2導電型の第2のクラッド層とが順次エピタキシーされ、上記第2のクラッド層の電流通路部を挟んでその両側に凹部が形成され、該凹部内の上記第2のクラッド層表面に上記活性層と同組成の過飽和吸収体層がエピタキシーされ、該過飽和吸収体層を介して電流ブロック層がエピタキシーされ、上記電流ブロック層の屈折率が上記第2のクラッド層の屈折率に比し小に選定したことを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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