ダイナミックSRAM

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川和音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-000766
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186251
出願日： 1996年01月08日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】少ない電源消費電流で高速動作できるSRAMを提供する。【解決手段】メモリセルCEL11を構成するフリップフロップQ1+Q2の負荷回路に、ビット線電圧(ほぼVdd)に対応した電圧に充電される1対のキャパシタC1+C2を用いる。この1対キャパシタは、フリップフロップの回路動作状態(情報記憶状態)を維持する回路電位を保持するもので、メモリセルの記憶情報を直接保持するものではない。しかし、リーク電流などにより1対キャパシタに蓄積された電荷が放電されフリップフロップのドレイン電圧がある程度以下になると、このフリップフロップの回路動作状態が維持できなくなり、メモリセルCEL11の記憶内容が消失してしまう。この記憶内容消失を防ぐために、1対キャパシタ(C1、C2;非情報保持媒体)をある周期でリフレッシュ充電する手段Q11〜Q42;DW10+DR10を設けている。

請求項（抜粋）：

複数対のビット線と複数のワード線の交差位置に複数のメモリセルが配置されたマトリクス構造を持つ記憶装置において、個々の前記メモリセルを構成するものであって、互いに逆の論理レベルを持つ記憶内容を出力する1対の出力ノードを持つフリップフロップ回路と;前記ワード線の信号レベルに応じて選択的に導通することにより、1対の前記ビット線へ、前記フリップフロップ回路の1対の出力ノードを、それぞれ接続するビット線接続手段と;前記メモリセルの記憶内容が保持されるように、前記フリップフロップ回路へ所定値以上の回路動作電圧を与えるキャパシタ部と;前記回路動作電圧が前記所定値以上に維持されるように、所定の周期でビット線接続手段を一時的に導通させて、ほぼ同電位にある前記一対のビット線を利用して前記キャパシタ部を間欠充電する間欠充電手段と;を備えたことを特徴とするダイナミックSRAM。

IPC (2件)：

H01L 21/8244 , H01L 27/11

引用特許：

審査官引用 (2件)

扉開閉用ハンドルの掛金装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-347659 出願人：タキゲン製造株式会社
ハンドル掛金装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-162357 出願人：有限会社バイジュウ産業

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