特許

J-GLOBAL ID：200903063776969165

発光素子実装構造体および発光素子実装構造体の製造方法

発明者： 石川 隆稔 ,  有田 潔 ,  土師 宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-310515
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128161
出願日： 2004年10月26日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】安定した信頼性で放熱性の向上を実現することができる発光素子実装構造体および発光素子実装構造体の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】サファイア基板2上にN型半導体3を全面を覆って形成し、N型半導体3の上面にN型部電極4およびP型半導体5を形成し、さらにP型半導体5の上面にP型部電極6が形成された構成のLED1を基板7に実装した発光素子実装構造体において、N型部電極4に金属ナノ粒子ペーストを塗布してキュアすることにより導体層22aを形成しておき、実装時には基板7の第1端子9aに導体層22aを、第2端子9bにP型半導体5をそれぞれ位置合わせしてボンディングにより接続する。これにより、極力広い接合面積で薄い接合部によってLED1を基板7に実装することができ、安定した信頼性で放熱性の向上を実現することができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

透明基板上に形成された第1半導体層と、前記第1半導体層の表面の第1領域に形成され表面が金属メッキ層で覆われた外部接続用の第1電極と、前記第1半導体層の表面であって前記第1領域よりも広い第2領域に形成された第2半導体層と、前記第2半導体層の表面に形成され表面が前記金属メッキ層と同一工程で形成された金属メッキ層にて覆われた第2電極とを有する発光素子を、前記第1電極と電気的に接続される第1端子と、前記第2電極と電気的に接続される第2端子とが設けられた基板に実装した発光素子実装構造体であって、 前記第2電極の金属メッキ層を前記第2端子に接合し、前記第1電極を金属ナノ粒子ペーストによって所定厚みに形成された導体層を介して前記第1端子に接続したことを特徴とする発光素子実装構造体。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (8件)：

5F041AA33 ,  5F041AA43 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 発光ダイオードチップとそのバンプ形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-303853   出願人：日亜化学工業株式会社
• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-019260   出願人：松下電工株式会社