発光装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-019260
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168829
出願日： 2002年01月28日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】発光ダイオードで発生する熱の放熱効率を高めることにより発光効率の低下を防止し劣化を抑制した発光装置を提供する。【解決手段】発光ダイオードチップ2が配線基板1にフェースダウン実装により実装される。配線基板1は、導体板11に絶縁層13を介して導体層12が積層されている。発光ダイオードチップ2の一方の電極は導体層12に接続され、他方の電極は半田によるバンプ21aを熱伝達部材として導体板11に接続される。したがって、発光ダイオードチップ2で発生した熱はバンプ21aを通して導体板11に伝達され、導体板11を通して効率よく放熱される。

請求項（抜粋）：

少なくとも一面に絶縁層を備える導体板と、絶縁層を介して導体板に積層された導電層と、少なくとも一方の電極が導電層にフェースダウン実装により電気的に接続された発光ダイオードチップとを備え、発光ダイオードと導体板との対向面間には絶縁層よりも熱伝導率の高い熱伝達部材が介装されることを特徴とする発光装置。

IPC (9件)：

H01L 33/00 , H01L 21/60 311 , H01L 23/28 , H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 23/34 , H01L 23/36 , H01L 23/373 , H01L 23/40

FI (10件)：

H01L 33/00 N , H01L 21/60 311 Q , H01L 23/28 D , H01L 23/34 A , H01L 23/40 E , H01L 23/40 F , H01L 23/36 D , H01L 23/30 R , H01L 23/36 M , H01L 23/36 C

Fターム (30件)：

4M109AA01 , 4M109BA03 , 4M109CA10 , 4M109EA15 , 4M109GA01 , 5F036AA01 , 5F036BA23 , 5F036BB08 , 5F036BB21 , 5F036BC05 , 5F036BC08 , 5F036BD01 , 5F036BE09 , 5F041AA33 , 5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041DA03 , 5F041DA04 , 5F041DA09 , 5F041DA19 , 5F041DA33 , 5F041DA34 , 5F041DA36 , 5F041DA43 , 5F041FF11 , 5F044KK01 , 5F044KK05 , 5F044LL07 , 5F044LL17 , 5F044RR10

引用特許：

審査官引用 (9件)

窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-028840 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子、およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-194224 出願人：ローム株式会社
配線基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-166243 出願人：京セラ株式会社

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