特許

J-GLOBAL ID：200903063787163049

不揮発性メモリセル及びその製造方法

発明者： シ・ホ・キム
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-179854
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186257
出願日： 1996年06月21日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性メモリセルのコントロールゲートとフローティングゲートとの重なり面積を増加させて、結果的に静電容量結合比CCを増加させることのできる不揮発性メモリセル及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 フローティングゲートの形状を中央部分に突条を有する断面が逆T字状となるように形成させ、コントロールゲートの断面形状をその逆T字形状と相補うことができる中央部に凹溝を有する形状とした。

請求項（抜粋）：

第1導電型の基板と、前記第1導電型の基板表面内に位置し、第2導電型のソース、ドレイン、及びソースとドレインとの間に位置したチャンネル領域を含むアクティブ領域と、前記基板の表面上でソースとドレインとの間にわたって形成され、中央に突条を形成させて断面が逆T字形状とされたフローティングゲートと、前記逆T字形状を有するフローティングゲートの突条を形成させた側の表面上に形成されるコントロールゲートとを有することを特徴とする不揮発性メモリセル。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-280796   出願人：ローム株式会社
• 特開平4-364786